DMN100

Версия для печати

Технические характеристики DMN100

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	150pF @ 10V
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SC-59-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN100 (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN100 datasheet
141.4 Кб