DMN2004DWK
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor
|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 540mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru