DMN2005K

Версия для печати

Технические характеристики DMN2005K

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 100µA
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN2005K (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN2005K datasheet
232.9 Кб