DMN2009LSS

Версия для печати

Технические характеристики DMN2009LSS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	58.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2555pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN2009LSS (MOSFET)

SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN2009LSS datasheet
144.5 Кб