DMN2100UDM

Версия для печати

Технические характеристики DMN2100UDM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	555pF @ 10V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-26

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN2100UDM (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN2100UDM datasheet
105.6 Кб