DMN3010LSS

Версия для печати

Технические характеристики DMN3010LSS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2096pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN3010LSS (MOSFET)

SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN3010LSS datasheet
140.9 Кб