DMN3033LSN
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 755pF @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SC-59-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
DMN3033LSN (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
|
