DMN3050S

Версия для печати

Технические характеристики DMN3050S

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	390pF @ 15V
Power - Max	1.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN3050S (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN3050S datasheet
129.8 Кб