DMN3115UDM

Версия для печати

Технические характеристики DMN3115UDM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	476pF @ 15V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-26

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN3115UDM (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN3115UDM datasheet
145.3 Кб