DMN3150LW

Версия для печати

Технические характеристики DMN3150LW

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	305pF @ 5V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SOT-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN3150LW (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN3150LW datasheet
156.4 Кб