DMN3200U

Версия для печати

Технические характеристики DMN3200U

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	290pF @ 10V
Power - Max	650mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN3200U (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN3200U datasheet
139.3 Кб