DMN4800LSS

Версия для печати

Технические характеристики DMN4800LSS

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.47nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	798pF @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN4800LSS (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN4800LSS datasheet
134.6 Кб