DMN5L06VK
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor
Версия для печати
Технические характеристики DMN5L06VK
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50mA @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 280mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
Power - Max | 250mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SOT-563 |
Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
DMN5L06VK (MOSFET)
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
Diodes Incorporated
|