DMN601TK

Версия для печати

Технические характеристики DMN601TK

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-523
Корпус	SOT-523

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN601TK (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN601TK datasheet
130.8 Кб