DMN66D0LT

Версия для печати

Технические характеристики DMN66D0LT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 115mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	115mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	23pF @ 25V
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-523
Корпус	SOT-523

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN66D0LT (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN66D0LT datasheet
147.9 Кб