DMP2123L

Версия для печати

Технические характеристики DMP2123L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	443pF @ 16V
Power - Max	1.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMP2123L (MOSFET)

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMP2123L datasheet
163.9 Кб