DMP3035LSS

Версия для печати

Технические характеристики DMP3035LSS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1655pF @ 20V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMP3035LSS (MOSFET)

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMP3035LSS datasheet
194.7 Кб