DMP3056LDM

Версия для печати

Технические характеристики DMP3056LDM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	722pF @ 25V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-23-6
Корпус	SOT-26

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMP3056LDM (MOSFET)

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMP3056LDM datasheet
145.6 Кб