DMP3160L

Версия для печати

Технические характеристики DMP3160L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	122 mOhm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	227pF @ 10V
Power - Max	1.08W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMP3160L (MOSFET)

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMP3160L datasheet
155 Кб