DMP57D5UFB

Версия для печати

Технические характеристики DMP57D5UFB

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 4V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	29pF @ 4V
Power - Max	425mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	3-DFN
Корпус	3-DFN1006 (1.0x0.6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMP57D5UFB (MOSFET)

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMP57D5UFB datasheet
207.9 Кб