|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
356
|
85.28
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
|
|
1 165.08
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
RJH60F5DPK |
|
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
RJH60F5DPK |
|
|
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|