FDA20N50F
500v n-channel mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UniFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 22A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3390pF @ 25V |
| Power - Max | 388W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3PN |
| Корпус | TO-3PN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDA20N50F (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSD-90 90C 10A. NO |
|
|
||||||
| SWT-TTL-61AY |
|
56.48 | ||||||
| SWT-TTL-61AY | DPT |
|
|
|||||
| SWT-TTL-61BR |
|
59.84 | ||||||
| SWT-TTL-61BR | DPT |
|
|
|||||
| SWT-TTL-61BR | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| SWT-TTL-61BR | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
