FDP19N40

Версия для печати

Технические характеристики FDP19N40

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 9.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	19A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2115pF @ 25V
Power - Max	215W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDP19N40 (MOSFET)

N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDP19N40 datasheet
258.7 Кб