FDT55AN06LA0
N-channel powertrench mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1130pF @ 25V |
| Power - Max | 8.9W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDT55AN06LA0 (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
