FJD5553
Силовые биполярные транзисторы
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 1A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 400mA, 3V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FJD5553 (Транзисторы) Силовые биполярные транзисторы
Производитель:
|
