FQNL2N50B

Версия для печати

Технические характеристики FQNL2N50B

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3 Ohm @ 175mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	350mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	230pF @ 25V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-92-3 (Long Body), TO-226
Корпус	TO-92L

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQNL2N50B (MOSFET)

500V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQNL2N50B datasheet
598 Кб