Версия для печати
Технические характеристики FQP6N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

FQP6N60C (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FQP6N60C datasheet 931.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD			2.16
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR	1	3.15
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	ONS
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTO
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	ONSEMICONDUCTOR
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	LRC
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	0.00
		BC847CLT1G		Транзистор биполярный SMD	ONSEMI	400	2.38
		ICE3B1065			Infineon Technologies
		ICE3B1065			INFINEON
		ICE3B1065
		Д R2KS(VZ=120-145V)			SANKEN
		Д R2KS(VZ=120-145V)					42.80
		Д R2KS(VZ=120-145V)			ФИЛИППИНЫ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"