FQT1N80
N-channel mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 100mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 195pF @ 25V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQT1N80 (MOSFET) N-Channel MOSFET
Производитель:
|
