FQU4N50

Версия для печати

Технические характеристики FQU4N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 1.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	460pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQU4N50 (MOSFET)

500V N-Channel Power MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQU4N50 datasheet
844.8 Кб