IDH10S120

Версия для печати

Технические характеристики IDH10S120

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 10A
Серия	thinQ!™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)	10A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	240µA @ 1200V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	500pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	PG-TO220-2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IDH10S120 (Диоды Шоттки)

SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ!

Производитель:
Infineon Technologies

IDH10S120 datasheet
415.1 Кб