IPB60R190C6

Версия для печати

Технические характеристики IPB60R190C6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 100V
Power - Max	151W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	PG-TO263-2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPB60R190C6 (MOSFET)

600V CoolMOS™ C6 Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies

IPB60R190C6 datasheet
2.2 Мб