IPD60R380C6

Версия для печати

Технические характеристики IPD60R380C6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 3.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 100V
Power - Max	83W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	PG-TO252-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPD60R380C6 (MOSFET)

600V CoolMOS™ C6 Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies

IPD60R380C6 datasheet
2.1 Мб