IPI80P03P4L-04
P-channel 30v mosfet optimos®-p2 power-transistor
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V |
| Power - Max | 137W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | PG-TO262-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPI80P03P4L-04 (MOSFET) P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor
Производитель:
|
