IPP60R520C6

Версия для печати

Технические характеристики IPP60R520C6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 230µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	512pF @ 100V
Power - Max	66W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPP60R520C6 (MOSFET)

600V CoolMOS™ C6 Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies

IPP60R520C6 datasheet
1.9 Мб