IPP60R600C6

Версия для печати

Технические характеристики IPP60R600C6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	440pF @ 100V
Power - Max	63W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPP60R600C6 (MOSFET)

600V CoolMOS™ C6 Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies

IPP60R600C6 datasheet
2 Мб