IRF1018ESLPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF1018ESLPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	20	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF1018ESLPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	79A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 50V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1018ESLPBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1018ESLPBF datasheet
429.9 Кб