IRF5810
Hexfet power mosfets dual p-channel
Версия для печати
Технические характеристики IRF5810
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Power - Max | 960mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRF5810 (MOSFET)
HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel
Производитель:
International Rectifier (IRF)
|
