IRF630FP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF630FP (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	355	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF630FP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	MESH OVERLAY™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF630FP (MOSFET)

N-channel 200V - 0.35? - 9A TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

IRF630FP datasheet
334.4 Кб