IRF6609

Версия для печати

Технические характеристики IRF6609

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 31A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	69nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6290pF @ 10V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MT
Корпус	DIRECTFET™ MT
Other Related Documents	DirectFET MOSFET 4Ps Checklist

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6609 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6609 datasheet
264.9 Кб