IRF6610

Версия для печати

Технические характеристики IRF6610

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1520pF @ 10V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric SQ
Корпус	DIRECTFET™ SQ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6610 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6610 datasheet
242 Кб