IRF6614

Версия для печати

Технические характеристики IRF6614

Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2560pF @ 20V
Power - Max	2.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric ST
Корпус	DIRECTFET™ ST

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6614 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6614 datasheet
268.9 Кб