IRF6628

Версия для печати

Технические характеристики IRF6628

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 27A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	27A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3770pF @ 15V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MX
Корпус	DIRECTFET™ MX

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6628 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6628 datasheet
270.9 Кб