IRF6655

Версия для печати

Технические характеристики IRF6655

Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 5A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	530pF @ 25V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric SH
Корпус	DIRECTFET™ SH

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6655 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6655 datasheet
272.1 Кб