IRF6662

Версия для печати

Технические характеристики IRF6662

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 8.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1360pF @ 25V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MZ
Корпус	DIRECTFET™ MZ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6662 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6662 datasheet
248 Кб