IRF6665

Версия для печати

Технические характеристики IRF6665

Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 5A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	530pF @ 25V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric SH
Корпус	DIRECTFET™ SH

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6665 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6665 datasheet
233.2 Кб