IRF6668

Версия для печати

Технические характеристики IRF6668

Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	55A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1320pF @ 25V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MZ
Корпус	DIRECTFET™ MZ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6668 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6668 datasheet
630.6 Кб