IRF6710S2

Версия для печати

Технические характеристики IRF6710S2

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1190pF @ 13V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric S1
Корпус	DIRECTFET S1

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6710S2 (MOSFET)

DirectFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6710S2 datasheet
274.2 Кб