IRF6720S2TR1PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF6720S2TR1PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1140pF @ 15V
Power - Max	1.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric S1
Корпус	DIRECTFET S1

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6720S2TR1PBF (MOSFET)

N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6720S2TR1PBF datasheet
236.7 Кб