IRF6722M

Версия для печати

Технические характеристики IRF6722M

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.7 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 15V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MP
Корпус	DIRECTFET™ MP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6722M (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6722M datasheet
259.2 Кб