IRF6725M

Версия для печати

Технические характеристики IRF6725M

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 28A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	28A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4700pF @ 15V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MX
Корпус	DIRECTFET™ MX

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6725M (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6725M datasheet
257.7 Кб